• <tr id='vdfmm1'><strong id='vdfmm1'></strong><small id='vdfmm1'></small><button id='vdfmm1'></button><li id='vdfmm1'><noscript id='vdfmm1'><big id='vdfmm1'></big><dt id='vdfmm1'></dt></noscript></li></tr><ol id='vdfmm1'><option id='vdfmm1'><table id='vdfmm1'><blockquote id='vdfmm1'><tbody id='vdfmm1'></tbody></blockquote></table></option></ol><u id='vdfmm1'></u><kbd id='vdfmm1'><kbd id='vdfmm1'></kbd></kbd>

    <code id='vdfmm1'><strong id='vdfmm1'></strong></code>

    <fieldset id='vdfmm1'></fieldset>
          <span id='vdfmm1'></span>

              <ins id='vdfmm1'></ins>
              <acronym id='vdfmm1'><em id='vdfmm1'></em><td id='vdfmm1'><div id='vdfmm1'></div></td></acronym><address id='vdfmm1'><big id='vdfmm1'><big id='vdfmm1'></big><legend id='vdfmm1'></legend></big></address>

              <i id='vdfmm1'><div id='vdfmm1'><ins id='vdfmm1'></ins></div></i>
              <i id='vdfmm1'></i>
            1. <dl id='vdfmm1'></dl>
              1. <blockquote id='vdfmm1'><q id='vdfmm1'><noscript id='vdfmm1'></noscript><dt id='vdfmm1'></dt></q></blockquote><noframes id='vdfmm1'><i id='vdfmm1'></i>

                学生 教工 校友 考生 访客

                • English
                • Deutsch

                顾问、名誉、兼职教授

                王阳元

                王阳元

                 

                王阳元,微电子学家。193511日生于浙江宁波。1958年北京大学物理系毕业。北京大学微电子学研究所教授、所长,亚博app顾问教授。1995年当选ぷ为中国科学院院士。

                主持研究成功我国第一块3种类型1024MOS动态随机存储器,是我国硅栅N钩道MOS集成电路技术开拓者之一。提出了多晶硅薄膜“应力增强”氧化模型、工程应用方程和掺杂浓度与迁移率的关系,对实践有重要的指导意义。研究了亚微米电路的硅化物/多晶硅复合栅结构的应力分布。发现磷掺杂对固相外延速率的增强效应以及CoSi2栅对器件抗辐照特性的改进作用。提出了SOI器件浮体效应模型和改进措施。发展了新型SOI器件结构,与合作者一起提出了超高速多晶》硅发射极晶体管的新的解析模型和先进双极工艺技术。近期又研究亚0.1Чm器件和集♂成电路技术以及微机电系统(MEMS)